DRAM市场格局生变：常规内存盈利优势扩大

根据伯恩斯坦分析师近期发布的行业报告，存储芯片市场正经历一场深刻的价值重估。报告预测，在经历了从2025年第三季度到2026年第二季度期间约4.5倍的强劲上涨后，常规DRAM的价格涨势并未结束，很可能在2027年继续保持上行通道。

常规DRAM与HBM：盈利能力的显著差距

一个关键的市场变化正在发生：目前，常规DRAM的单位比特平均售价已经与高带宽内存（HBM）持平，甚至在某些情况下实现了反超。这意味着，从每比特收入的角度看，两者已站在同一起跑线。

然而，决定盈利能力的不仅是售价。伯恩斯坦的分析进一步指出，得益于更高的比特密度和更成熟的制造良率，常规DRAM在单位晶圆产能上产生的收入，目前可以达到HBM的两倍左右。这一差距直接转化为更丰厚的利润率，使得常规DRAM成为当前存储芯片厂商更赚钱的产品线。

HBM的盈利追赶挑战与行业权衡

面对这种盈利落差，HBM若要实现在单位晶圆收入上追平常规DRAM，其价格需要再提升大约三倍。这是一个相当激进的提价幅度。

但报告也提醒，存储芯片制造商可能不会轻易采取如此大幅度的提价策略。这背后存在一个重要的行业考量：HBM作为驱动人工智能硬件性能的关键组件，其成本如果急剧攀升，最终可能会传导至整个AI产业链，增加终端应用的成本，从而潜在抑制市场对先进存储芯片的长期需求。厂商需要在短期盈利和培育健康的长期生态系统之间做出谨慎平衡。

  • 核心结论一： 常规DRAM价格周期延长，2027年或维持涨势。
  • 核心结论二： 常规DRAM当前的单位晶圆收入和利润率显著优于HBM。
  • 核心结论三： HBM面临巨大的盈利追赶压力，但激进提价可能损害AI生态发展。