三星联手SK海力士与高通 引爆HBC芯片技术革命 商业化进程加速

据行业消息,三星电子与SK海力士正与芯片设计巨头高通展开紧密合作,共同推进下一代高带宽计算(HBC)芯片的商业化进程。三方将整合各自的优势,其中韩国厂商专注于DRAM堆叠技术,并与台积电等伙伴协作,致力于突破现有HBM技术的性能瓶颈,为AI和高性能计算市场带来新的解决方案。

阅读全文

存储芯片大涨价将至?瑞银预测:2025年NAND价格飙升超30%,DRAM供应吃紧或持续数年

瑞银证券最新分析指出,全球存储芯片市场正面临结构性供应紧张。报告预测,DRAM短缺局面至少将延续至2028年第二季度,其价格明年或同比上涨40%以上;同时,NAND闪存至少在2025年第四季度前将维持紧缺态势,价格预计上涨超过30%。这预示着消费电子及数据中心等领域可能面临成本上升压力。

阅读全文

美国AI巨头紧急行动:芯片关税争议升级,科技业集体游说特朗普政府调整政策

美国科技行业正对特朗普政府展开密集游说,试图缩小拟议的芯片关税范围。企业警告称,扩大关税将限制AI发展所需的关键半导体供应,阻碍数据中心扩张,并可能削弱美国在人工智能领域的全球竞争力。游说者主张政策应更接近早期版本,为数据中心等国内用途提供豁免。

阅读全文